Д2-45

Аттенюатор емкостной Д2-45

Также это изделие может называться: Д245, Д2 45, Д-245, Д 245, d2-45, d245, d2 45.

Д2-45 аттенюатор емкостной предназначен для расширения пределов измерения напряжений импульсных вольтметров при работе в лабораторных и цеховых условиях, а также в условиях стационарных и передвижных радиомастерских.

Сфера применения: проведение исследований, производство и обслуживание радиоэлектронной аппаратуры и ее отдельных узлов.

Аттенюаторы Д2-45 позволяют производить измерения при наличии поля ультравысоких частот.

Технические характеристики Д2-45:

Верхние пределы измерения амплитудных значений напряжений - 15 кВ; 50 кВ.

Коэффициент деления в позициях 15 кВ и 50 кВ соответственно - 1:300; 1:1000.

Погрешность коэффициентов деления аттенюатора Д2-45- не более ±10%.

Неравномерность частотной характеристики фильтра:

- на частоте до 20 МГц - не более ±4 дБ;

- на частоте 50 МГц ослабление - не менее 20 дБ.

Неравномерность частотной характеристики Д2-45 при работе с вольтметром типа ВЛИ-2 или В4-2 при верхних пределах 15 кВ и 50 кВ на частоте 50 Гц относительно частоты 400 Гц - не более ±5%.

Входная емкость - не более 12 пФ.

Габариты:

- высота - не более 380 мм;

- диаметр с выступающими частями - не более 230 мм.

Масса - не более 7,5 кг.

Для обеспечения работы Д2-45 при наличии поля высокой частоты в пространстве, окружающем его, к аттенюатору придается фильтр, защищающий вход вольтметра от высокой частоты.

Условия эксплуатации:

Температура окружающего воздуха - от +10° С до +35° С.

Относительная влажность при температуре +20° С - 80%.

Аттенюаторы Д2-45 могут встраиваться в генераторы сигналов, измерительные приемники, измерители мощности и другие средства измерений для обеспечения развязки отдельных блоков приборов и получения калиброванного ослаблении сигналов.

Принцип действия Д2-45 основан на ослаблении проходящей по коаксиальной линии электромагнитной энергии при ее поглощении в элементах линии с активными сопротивлениями или делении ее с помощью емкостей.

В качестве поглощающих элементов используются поверхностные резисторы, толщина поглощающего слоя которых меньше глубины скин-эффекта.